igbt(insulated gate bipolar transistor)绝缘栅双极型晶体管-凯发k8官方网站

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igbt(insulated gate bipolar transistor)绝缘栅双极型晶体管添加时间:2016-02-04

凯发k8官方网站-凯发k8官网(insulated gate bipolar transistor)绝缘栅双极型晶体管,是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。凯发k8官方网站-凯发k8官网具有驱动功率小而饱和压降低优点,非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。凯发k8官方网站-凯发k8官网的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给pnp 晶体管提供基极电流,使凯发k8官方网站-凯发k8官网 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使凯发k8官方网站-凯发k8官网 关断。

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