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igbt功率模块添加时间:2018-03-05

igbt功率模块是以绝缘栅双极型晶体管(igbt)构成的功率模块。

由于igbt模块为mosfet结构,igbt的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离,具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机,,变频家电等领域。

igbt是先进的第三代功率模块,工作频率1-20khz,主要应用在的主回路逆变器及一切逆变电路,即dc/ac变换中。例电动汽车、伺服控制器、ups、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史,几乎己替代一切其它功率器件,例scr.gto,gtr,mosfet,双极型达林顿管等泪今功率可高达1mw的低频应用中,单个元件电压可达4.okv(pt结构)一6.5kv(npt结构),电流可达1.5ka,是较为理想的功率模块。

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