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　　凯发k8官方网站-凯发k8官网硅片的结构与功率mosfet 的结构十分相似，主要差异是凯发k8官方网站-凯发k8官网增加了p 基片和一个n 缓冲层（npt-非穿通-凯发k8官方网站-凯发k8官网技术没有增加这个部分）。如等效电路图所示（图1），其中一个mosfet驱动两个双极器件。基片的应用在管体的p 和 n 区之间创建了一个j1结。 当正栅偏压使栅极下面反演p基区时，一个n沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 mosfet的方式产生一股电流。

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如果这个电子流产生的电压在0.7v范围内，那么，j1将处于正向偏压，一些空穴注入n-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流（mosfet 电流）； 一个空穴电流（双极）。

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